낸드플래시
토글 DDR 2.0 방식 채택
기존 SDR보다 10배 빨라
기존 SDR보다 10배 빨라
삼성전자는 가장 빠른 데이터 처리 속도를 구현하는 ‘토글(Toggle) 디디아르(DDR) 2.0’ 기술 방식을 채택하고, 20나노급 미세공정기술을 적용한 64기가비트 멀티 레벨 셀(MLC) 낸드플래시(사진) 양산을 세계 최초로 시작했다고 12일 밝혔다. 낸드플래시란 스마트폰이나 태블릿피시에 장착돼 데이터를 저장하는 구실을 하는 부품으로, 이것의 데이터 처리 속도가 빠를수록 기기의 성능이 높아진다.
토글 디디아르 2.0 기술 방식을 채택한 이 낸드플래시의 데이터 처리 속도는 초당 400메가비트로, 기존 일반 에스디아르(SDR)와 토글 디디아르 1.0 방식에 견줘 각각 10배와 3배 빠르다. 따라서 유에스비 3.0과 사타(SATA) 6.0Gbps 등의 인터페이스를 장착한 고성능·고용량 스마트폰이나 태블릿피시, 노트북 등에 적합하다. 삼성전자는 지난해 토글 디디아르 1.0 방식의 20나노급 32기가비트 엠엘시 낸드플래시를 세계 최초로 내놓은 바 있다.
홍완훈 삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀 부사장은 “이 제품으로 빠르게 커질 것으로 예상되는 4세대 스마트폰, 태블릿피시, 6.0Gbps 에스에스디 등의 시장을 이끌 계획”이라고 밝혔다. 반도체 시장조사 업체인 아이서플라이는 세계 낸드플래시 시장이 수량 기준으로 2015년까지 연평균 54%씩 커지고, 64기가비트 이상 제품의 비중이 올해 3%에서 내년에는 70%로 높아질 것으로 전망했다.
김재섭 기자 jskim@hani.co.kr
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