삼성전자는 13일 디램 공정기술로는 가장 미세한 80나노 기술을 512메가비트(Mb) 더블데이터레이트(DDR)2 디램에 적용해 세계 처음으로 양산을 시작한다고 밝혔다. 80나노(1나노는 10억분의 1m) 공정은 디램의 집적도 등을 획기적으로 개선할 수 있어 현재 주력인 90나노에 견줘 생산성을 50% 이상 끌어올릴 수 있다고 삼성전자 쪽은 설명했다.
홍대선 기자 hongds@hani.co.kr
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