40나노 32기가 메모리 세계 첫 개발

삼성전자, 기존 공정 20% 줄인 신기술 적용
일간신문 400년치 저장 가능…2008년 양산

삼성전자가 새로운 개념의 독자적인 반도체 기술로 40나노 32기가 낸드플래시 메모리를 개발하는 데 성공했다. 삼성전자는 새 기술로 2010년까지 250조원 규모의 신규시장을 창출할 수 있을 것으로 내다봤다. 황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 11일 서울 장충동 신라호텔에서 기자간담회를 열어 “기존 반도체 기술의 한계를 극복한 신개념의 ‘시티에프’(CTF·Charge Trap Flash) 낸드기술을 개발해 상용화하는 데 세계 처음으로 성공했다”고 밝혔다.

새 기술은 기존 반도체보다 공정 수를 20% 넘게 줄여 원가를 크게 절감할 뿐 아니라 앞으로 20나노 256기가까지 확대·적용할 수 있는 혁신적인 기술이다. 또 반도체 산업을 지금의 기가 시대를 넘어 2010년 이후 테라(기가의 1천배) 시대로 진입시킬 토대를 마련한 것으로 평가되고 있다.

이번에 적용된 40나노 기술은 기존 50나노보다 훨씬 미세한 가공 기술이다. 40나노는 머리카락 두께를 3천분의 1로 쪼갠 초미세 크기며, 32기가는 세계 인구 65억명의 5배에 해당하는 328억개의 메모리 기본 소자를 엄지 손톱만한 크기에 집적한 것과 맞먹는 것이다. 이를 이용하면 최대 64기가바이트 메모리카드 1개를 만들 수 있는데, 일간지 400년치 분량의 정보를 저장할 수 있다. 또 이 카드 열 장이면 국회도서관에 있는 장서 220만권 분량의 정보를 저장할 수 있어 ‘손안의 도서관’ 시대를 열게 된다.

삼성전자는 지난해 16기가 낸드플래시의 개발에 이어 올해 32기가를 개발함으로써 ‘1년에 메모리 용량이 두 배로 늘어난다’는 ‘메모리 신성장론’을 7년 연속 입증했다. 삼성전자는 2008년부터 양산에 들어갈 예정이다.

홍대선 기자 [e-mail]