하이닉스 60나노급 D램 곧 개발

삼성전자 앞질러

하이닉스반도체가 4일 66나노미터 회로공정을 이용한 1기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)2 D램 반도체의 시험 생산에 들어갔다고 밝혔다.

60나노급 공정은 현재 하이닉스가 양산 중인 80나노 제품에 견줘 생산량을 50% 정도 끌어올릴 것으로 예상되는 반도체 기술이다. 아직 개발 초기 단계로 최종 양산까지는 몇 개월의 기간이 남았지만, D램 반도체의 미세회로 공정기술 분야에서 선두를 달리고 있는 삼성전자와의 기술경쟁을 한층 더 촉발시킬 것으로 보인다. 삼성전자는 지금까지 D램 반도체 공정 부문에서 2004년 80나노, 지난해 70나노 기술을 세계 처음으로 개발했으나 60나노 공정까지는 이르지 못했다. 삼성전자는 낸드플래시 부문에서 60나노 공정을 이용해 제품을 생산하고 있다.

하이닉스는 진전된 반도체 미세회로 기술을 발판으로 세계 시장에서 경쟁 업체보다 우위에 설 수 있을 것으로 기대하고 있다. 박현 하이닉스 과장은 “양산 시점은 시험생산이 끝난 뒤 시장 상황에 맞춰 결정할 방침”이라고 말했다.

홍대선 기자 [e-mail]