삼성 ‘50나노’ 디램 세계 첫 개발

전준영 삼성전자 상무(사진 왼쪽)가 19일 세계 최초로 50나노기술을 적용해 개발한 1기가 디램반도체를 선보이고 있다.연합뉴스

1기가…성능 획기적 개선

삼성전자가 19일 세계 처음으로 50나노미터(nm) 공정기술을 이용한 1기가 디램 반도체를 개발했다. 이로써 삼성전자는 디램 분야에서 2000년 150나노를 시작으로 7세대 연속 최소 공정기술을 선보이는 데 성공했다.

새로운 기술을 적용한 50나노 공정은 현재 양산 중인 80나노 공정에 견줘 3세대 앞선 기술로 생산성이 2배나 뛰어나며, 1년 전 개발한 60나노 공정에 비해서도 생산성이 55%나 높은 최첨단 미세공정 기술이라고 삼성전자는 밝혔다. 디램은 데이터 고속처리와 고용량 저장에 필요한 부가기능이 많은 데다 구조가 복잡해 반도체 제조업체들이 공정을 줄이는 데 애를 먹어왔다. 전준영 삼성전자 메모리사업부 상무는 “두 종류의 3차원 입체 트랜지스터 기술과 복합 유전층이라는 신물질을 사용해 디램 성능을 획기적으로 개선시켰다”고 설명했다.

높은 집적도의 반도체 기억장치인 디램은 그동안 개인용 컴퓨터(PC)에 주로 쓰였지만, 최근 모바일기기와 게임기 등으로 수요가 빠르게 확산되고 있는 중이다. 특히 올해 말 출시될 마이크로소프트의 새 운영체계(OS)인 ‘윈도 비스타’의 권장 메모리가 기존 윈도 엑스피(XP)의 128메가바이트에서 1기가바이트로 확장되는 점을 고려할 때 50나노 기술이 향후 디램 시장에 끼칠 파괴력은 그 어느 때보다 클 것으로 예상된다. 삼성전자는 이번 50나노 제품 개발로 경쟁사와의 기술개발 격차를 1년 이상 벌려 큰 시장선점 효과를 누릴 수 있을 것으로 기대하고 있다.

50나노 디램이 장착된 제품은 이르면 2008년 초 나올 예정이다. 지난해 개발된 60나노 제품은 내년 3월 이전에 선보인다. 조남용 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “50나노급 디램 시장은 2008년 50억달러를 시작으로 2011년까지 4년 동안 550억달러의 시장을 형성할 것으로 전망된다”고 말했다. 세계 디램 반도체 시장에서 선두를 달리고 있는 삼성전자는 올해 디램 부문에서 처음으로 100억달러 매출을 기대하고 있다.

홍대선 기자 [e-mail]