삼성-IBM 32나노 반도체 공동개발

인피니언 등 3개사도 함께

삼성전자가 미국 아이비엠(IBM)과 함께 비메모리 반도체의 32나노미터(㎚)급 공정기술 개발에 나선다.

삼성전자는 23일 미국의 아이비엠과 프리스케일, 독일의 인피니언, 싱가포르의 차터드 등 5개사와 2010년까지 비메모리 반도체의 32나노 공정기술(12인치 웨이퍼용)을 공동개발하는 전략적 제휴를 맺었다고 밝혔다. 1나노미터(nm)는 10억분의 1m를 가리킨다. 나노급 미세공정 기술은 하나의 웨이퍼(반도체 집적회로를 만드는 실리콘 원판)에서 더 많은 칩을 얻을 수 있는 반도체 생산성의 관건이다. 삼성과 아이비엠은 지난 2004년 처음 전략적 제휴를 맺고 65나노와 45나노급 제조공정 기술 개발을 최근 완료했다.

삼성전자 쪽은 “최근 반도체 공정의 미세화에 따라 차세대 나노급 공정기술의 경우 개발 비용과 기술 난이도가 점차 증가하고 있는 상황”이라며, “이번 제휴로 디램 등 메모리 기술에 이어 비메모리 분야(시스템LSI)에서도 첨단 나노급 기술의 주도권을 이어가게 됐다”고 설명했다. 삼성과 아이비엠은 90나노 이후 첨단 공정기술에 동일한 로드맵을 가져갈 예정이다. 반도체 분야의 선두인 삼성전자와 제조공정 기술이 앞서는 아이비엠간 제휴로, 차세대 비메모리 분야의 기술표준 경쟁에서 유리한 입지를 확보할 것으로 삼성전자 쪽은 기대하고 있다.

32나노급 공정기술이 상용화되면, 45나노급보다 생산성이 40~60% 가량 높아질 뿐 아니라, 갈수록 정밀화되는 차세대 디지털 기기의 핵심 칩에 두루 적용될 것으로 전망된다. 삼성전자 시스템LSI사업부 권오현 사장은 “선두업체간 협력으로 새로운 기술적 과제들을 극복하고 32나노급 공정기술을 확립할 수 있을 것”이라고 말했다. 김회승 기자 [e-mail]