삼성전자-하이닉스 “원천기술 협력”

90억 투자해 반도체 공동개발

삼성전자와 하이닉스반도체가 차세대 메모리반도체의 원천기술을 개발하기 위해 손을 맞잡았다.

산업자원부는 24일 삼성전자와 하이닉스가 차세대 메모리소자 원천기술 개발을 위한 공동사업에 합의했다고 밝혔다. 두 회사는 올해부터 2년 동안 90억원을 투자해 ‘테라비트급’과 ‘수직자기형’(STT-MRAM) 비휘발성 메모리(전원이 끊어져도 데이터가 사라지지 않는 메모리) 반도체의 원천기술을 공동개발하기로 했다.

전세계 메모리 반도체 1·2위인 두 회사가 기술 협력에 나선 것은, 차세대 메모리 반도체 개발에 적극 나서고 있는 일본에 맞서 반도체 산업의 우위를 지키기 위한 공동대응으로 볼 수 있다. 일본은 민·관 합동으로 지난해부터 오는 2010년까지 30억엔을 들여 차세대 메모리 개발에 나선 상태다. 또 이번 협력을 통해 차세대 반도체 시장에서는 핵심소자 등 원천기술 대부분을 국외에 의존하는 악순환 구조를 깨겠다는 의지도 담겨있다. 두 회사는 디램 메모리의 경우 미국의 인텔에, 낸드플래시 메모리는 일본 도시바에 매년 수억달러씩 특허 사용료를 지불하고 있다. 차동형 산자부 반도체디스플레이팀장은 “1993년 이후 우리나라는 세계 최고의 공정기술을 바탕으로 메모리 세계 1위 자리를 지키고 있으나 원천기술 분야는 많이 뒤처져 있다”며 “1990년대 64메가 디램을 개발할 때 처럼 국내 업체가 힘을 합쳐 차세대 메모리 원천기술을 확보한다면 반도체 산업의 경쟁력 우위를 지켜나갈 수 있을 것”이라고 말했다. 김회승 기자 [e-mail]