삼성전자 R램 신기술…‘쓰고 지우기 1조번’

“상용화 일정 앞당겨”

삼성전자가 차세대 메모리로 꼽히는 ‘아르(R)램’ 상용화를 앞당길 수 있는 기술을 개발했다.

삼성전자는 저항 변화 반응 물질로 산화탄탈륨을 사용해 아르램의 내구성을 크게 높이는 기술을 개발했다고 12일 밝혔다. 이 기술을 아르램에 적용하면 기존 낸드플래시보다 내구성이 100만배 이상 높아져, 데이터 쓰기와 지우기를 1조차례 이상 되풀이할 수 있다. 삼성전자는 이 기술 개발로 아르램 구조를 트랜지스터가 없는 형태로 바꿔 메모리 용량을 대폭 늘릴 수 있는 길도 열었다. 기존 메모리는 트랜지스터와 레지스터가 하나씩 함께 있어야 하는 구조로 돼 있다.

아르램이란 산화물에 가해지는 전압으로 전류 통로가 만들어지고 사라지는 데 따른 저항 변화를 이용해 데이터를 저장하는 방식의 메모리다. 아이비엠(IBM)과 도시바 등 세계적인 반도체 업체들이 낸드플래시의 뒤를 이을 차세대 메모리로 꼽아 기술개발 경쟁을 벌이고 있다.

삼성전자는 “5년 뒤쯤으로 예상되는 아르램의 상용화 일정을 앞당길 수 있는 기술”이라며 “이번 연구 결과를 영국에서 발간되는 세계적인 학술지 <네이처 머터리얼스> 인터넷판에 게재했다”고 밝혔다.

김재섭 기자 [e-mail]