삼성, 그래도 반도체…세계 첫 ‘20나노’ D램 양산

이건희 삼성전자 회장이 22일 경기도 화성 삼성전자 나노시티캠퍼스에서 열린 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 디램·플래시 양산’ 행사에서 현장 근무자 대표들로부터 16라인에서 첫 생산된 반도체 웨이퍼를 전달받고 있다. 삼성전자 제공

경쟁사 ‘수익 악화’ 감산에도
축구장 28개 넓이 ‘16라인’
이건희·이재용 참석 가동식
일본·대만은 40~50나노
“후발업체 추격의지 꺾어”

삼성전자가 반도체 사업에서 또다시 승부수를 던졌다. 세계 최초로 20㎚(1나노는 10억분의 1m)급 기술을 적용한 세계 최대 규모의 낸드플래시·디(D)램 생산라인을 건설해 가동에 들어간 것이다. 일본·대만 등의 경쟁업체들이 메모리 가격 하락에 따른 수익성 악화를 견디지 못해 잇따라 감산에 들어간 것과는 대조적인 행보다.

삼성전자는 22일 오전 경기도 화성 나노시티캠퍼스에서 세계 최대 규모의 메모리 생산라인인 ‘16라인’ 가동식을 열고, 20나노급 낸드플래시와 디램 대량생산(양산)을 시작했다. 이날 가동을 시작한 16라인은 생산라인 면적이 6만여평으로 축구장 28개 넓이에 이른다. 개별 생산라인 투자비로는 세계 최대인 12조원이 들어갔다. 16라인에선 다달이 12인치 웨이퍼 1만장 규모의 디램과 낸드플래시 메모리를 생산할 수 있다.

특히 16라인에선 세계 최초로 20나노급 미세공정 기술이 적용된 디램과 낸드플래시가 생산된다. 20나노급 메모리는 지난 5월 일본 엘피다가 시제품 개발에 성공한 것으로 알려졌으나, 아직 양산에 나섰다는 소식은 없다.

이날 가동식에는 이건희 삼성전자 회장과 이 회장의 아들인 이재용 삼성전자 사장도 참석했다. 이 회장은 경영 복귀 직후인 지난해 5월 16라인 기공식 현장을 처음으로 방문한 데 이어 이날 가동식에도 직접 참석해, 앞으로도 삼성그룹의 주력사업은 반도체란 사실을 재확인시켰다. 이 회장은 이날 “반도체 업계의 지각변동과 시장 변화에 대비해줄 것”을 임직원들에게 당부했다.

16라인이 본격 가동에 들어감에 따라 삼성전자는 고품질 낸드플래시와 디램 제품을 더욱 안정적으로 공급할 수 있게 됐다. 또한 20나노 기술 적용으로 차별화된 원가·품질 경쟁력을 갖춰, 후발업체들을 확실히 따돌릴 수 있는 길도 열렸다.

일본·대만 업체들의 메모리 미세공정기술은 현재 40~50나노급에서 30나노급으로 넘어오는 수준이다. 삼성전자 관계자는 “16라인 가동으로 삼성전자가 그동안 추진해온 ‘초 격차’ 전략이 현실화했다”며 “후발 업체들이 양과 질에서 모두 삼성전자를 추격할 의지를 완전히 접을 수밖에 없을 것”이라고 말했다. 실제로 삼성전자가 16라인에서 생산하는 20나노급 디디아르(DDR)3 디램은 30나노급에 견줘 생산성은 50% 높고 전력소모량은 40% 낮다.

삼성전자는 또 16라인 가동으로 경쟁업체들을 앞서는 규모의 경제를 이루는 한편, ‘차차세대 메모리’로 꼽히는 10나노급 메모리를 생산할 수 있는 기반도 갖추게 됐다. 삼성전자는 특히 16라인을 통해 스마트폰과 태블릿피시(PC) 등의 대중화로 수요가 빠르게 늘고 있는 낸드플래시 시장점유율을 높여나갈 계획이다.

시장조사기관인 아이서플라이 자료를 보면, 세계 낸드플래시 시장 규모는 올해 229억5000만달러에서 2015년 286억3000만달러로 커질 전망이다. 지난 2분기 현재 낸드플래시 시장에서 삼성전자는 41.6%, 일본 도시바는 28.7%, 마이크론은 16.0%, 하이닉스반도체는 13.5%의 점유율을 각각 차지하고 있다.

김재섭 기자 [e-mail]