삼성전자, 16기가 반도체 세계 첫 개발

12일 오전 서울 중구 신라호텔에서 열린 삼성전자 2005 반도체 총괄 발표회에서 황창규 사장이 50나노 16기가바이트 낸드플래시 12인치 웨이퍼를 들어보이고 있다. 이정아 기자 [e-mail]

50나노 16기가 반도체 시대 개막

삼성전자가 세계 처음으로 50나노 기술을 이용한 16기가 반도체 개발에 성공했다. 이는 삼성전자가 보유하고 있는 8기가 반도체의 저장 및 처리 능력을 1년 만에 갑절이나 키운 것이다.

황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 12일 서울 신라호텔에서 기자회견을 열어 “경쟁사에 비해 1년 이상 앞선 기술 개발력으로 50나노 16기가 낸드플래시의 양산 기술을 확보했다”며 “가까운 미래에 필름과 테이프, 시디 등 기존 저장매체 가운데 휴대가 가능한 모든 모바일 저장매체는 플래시 메모리가 완전히 대체하게 될 것”이라고 말했다.

50나노는 머리카락 굵기를 2000분의 1로 쪼갠 초미세 크기이며, 16기가는 손톱만한 반도체 칩 1개에 트렌지스터 160억개를 집적한 것과 맞먹는 용량이다. 이를 이용하면 최대 32기가바이트의 메모리 카드를 만들 수 있는데, 여기에는 엠피3 파일로 8000곡(680시간) 또는 디브이디 영화 20편(32시간), 신문 200년치 분량을 저장할 수 있다.

삼성전자는 지난해 8기가 낸드플래시의 개발에 이어 올해 16기가 낸드플래시를 개발함으로써 ‘1년에 메모리 용량이 두 배로 늘어난다’는 ‘메모리 신성장론’을 6연 연속 입증했다. 삼성전자는 내년 말 양산에 들어갈 예정이다. 황 사장은 “이번에 개발한 50나노 기술은 16기가뿐 아니라 기존 8기가나 4기가 플래시 메모리에도 적용할 수 있으며, 2010년까지 300억달러 규모의 시장을 창출할 것”으로 내다봤다. 그는 또 플래시 메모리가 제2의 종이혁명을 불러와 문자·사진·음악·동영상을 한군데 저장하고 전달하는 ‘디지털 종이시대’를 열 것”이라고 말했다. 홍대선 기자 [e-mail]