삼성전자, 70나노 D램 첫 개발

삼성전자, 70나노 D램 첫 개발

‘머리칼 굵기 1400분의 1’ 초미세 기술

삼성전자가 첨단 70나노 공정기술을 적용한 512메가 디디아르(DDR)2 D램(사진) 개발에 성공했다. 이로써 삼성전자는 2001년 100나노, 2002년 90나노, 2003년 80나노에 이어 4세대 D램 반도체 공정기술을 세계 처음 선보임으로써, 나노급 D램 기술분야에서 그랜드슬램을 달성하게 됐다. 반도체를 만들 때 칩에 미세한 회로를 그려 넣는데, 70나노 공정기술은 머리카락 굵기를 1400분의 1로 쪼갠 초미세 크기로 반도체를 제조하는 기술이다. 1나노미터(nm)는 10억분의 1미터를 가리킨다.

삼성전자는 지난해 90나노 공정기술을 적용한 D램 제품의 양산을 시작해 다른 업체보다 1년 이상 앞섰으며, 이번 70나노 개발로 2세대 앞선 양산 기술력을 확보하게 됐다. 삼성전자는 “이번 개발로 현재 양산 중인 90나노 D램 제품에 견줘 생산성을 2배 끌어올릴 수 있게 됐다”고 설명했다.

삼성전자는 현재 양산 중인 90나노급 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기, 이번 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 각각 양산에 들어갈 예정이다. 또 1, 2기가 D램까지 70나노 적용을 확대해 대용량 D램 시장을 주도해 나간다는 전략이다. 반도체 시장조사기관에 따르면, D램 시장은 새로운 차세대 게임기 출시, 3세대 휴대폰 비중 확대, 새로운 개인용 컴퓨터 운영체제 등장 등에 따라 올해 265억달러에서 오는 2009년 374억달러로 커질 것으로 전망된다.

홍대선 기자 [e-mail]